Сен
10

Одноперехідний транзистор (двохбазовий діод). Конструкція і принцип дії

одноперехідний транзисторОдноперехідний транзистор являє собою пластинку кремнію n-типу з високим питомим опором (декілька кілоом). З обох кінців пластинки розміщенні базові виводи Б1 і Б2. Посередині пластини знаходиться p-n-перехід, до якого прикріплений третій вивід – емітерний. Цей перехід розділяє пластину на дві частини L1 і L2, причому одна з них набагато більша від другої (L1<<L2).

Принцип дії одноперехідного транзистора. При подачі напруги живлення на базові виводи, через транзистор починає протікати струм Іб1б2. Оскільки омічний опір розподілений рівномірно по всій довжині пластини, то на ділянках L1 та L2 падає напруга, яка пропорційна цим довжинам. Емітерний p-n-перехід буде закритий, через нього протікатиме лише маленький струм утічки. одноперехідний транзисторЕмітерний перехід буде закритий до тих пір, поки на нього не подати напругу Uе більшу, ніж Uе.б1. При збільшенні напруги Uе достатньої для відкривання p-n-переходу (точка А на графіку), з емітера Е до бази Б1 почнуть інжектуватися дірки, які збільшать провідність ділянки L1 і тим самим зменшать її опір. При зменшенні опору ділянки L1 відповідно зменшиться внутрішня напруга Uе.б1, тоді p-n-перехід відкриється ще більше. Це буде призводити до лавиноподібного збільшення кількості дірок в пластині на ділянці L1, подальшому зменшенню опору і збільшенні струму емітера. З ростом Одноперехідний транзистор, ВАХемітерного струму зменшується опір емітерного переходу, а разом з ним зменшується напруга Uе. Це відповідає появі від’ємного опору – ділянка АВ на вольтамперній характеристиці.
Подальше зростання емітерного струму відбувається за рахунок збільшення зовнішньої емітерної напруги (ділянка ВС на вольтамперній характеристиці).

Переваги одноперехідного транзистора:
простота конструкції;
стабільність напруги спрацьовування;
мале споживання струму в колі управління;
хороша повторюваність характеристик і параметрів різних зразків транзисторів;
можливість передачі порівняно потужних імпульсів.

Недоліки одноперехідного транзистора:
являється низькочастотним пристроєм, по частотним властивостям уступає біполярним транзисторам

Дуже поганоПоганоМоже бутиНормальноСупер Оцініть статтю, будь-ласка
Загрузка...
Сподобалася стаття, натисни кнопку!

6 коммент. к записи “Одноперехідний транзистор (двохбазовий діод). Конструкція і принцип дії”

  • Лариса 24/09/2011 - 14:43

    Олег! Читать трудно, но чувствуется информация полезная. Статьи можно в печати и прессе посмотреть и прокомментировать со знанием дела.

  • Игорь 18/10/2011 - 10:59

    Интересно почить и изучить ваши статьи, но трудно это сделать. Можно добавить русскую версию сайта?

    • Олег 18/10/2011 - 16:04

      Постараюсь. Принаймні буду мати на увазі.

  • Игорь 19/10/2011 - 12:58

    Воспользовался переводчиком. Не очень удобно, но прочитал статью. Спасибо за инфомацию – было интересно

  • KJhas 06/09/2012 - 18:21

    А картинки где?

Прокомментировать

Останні коментарі

Правила безпечної експлуатації електроустановок

Знайти публікацію по даті

Друзі сайту:

~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~