Янв
22

Параметри одноперехідного транзистора

Параметри

Одноперехідний транзисторДо основних параметрів одноперехідного транзистора відносяться:

Міжбазовий опір Rб1б2 – опір, що вимірюється між першою і другою базами при розімкнутому ланцюзі емітера.

Опір баз rб1rб2 – опір кристалу напівпровідника між емітером і Б1 або Б2.

Таблиця 12-7

Основні параметри деяких одноперехідних транзисторів

Тип приладу

Р, мВт

Rб1б2, кОм

η

Iвкл., мкА

Iвыкл., мА

КТ117А

300

4-7,5

0,5-0,7

20

1

КТ117Б

»

»

0,65-0,85

»

»

КТ117В

»

6-9

0,5-0,7

»

»

КТ117Г

»

»

0,65-0,85

»

»

 

Внутрішнє відношення напруг η – відношення різниці між напругою включення і прямої напруги на емітерному переході до межбазової напруги.

Струм включення Iвкл – мінімальний струм емітера, необхідний для включення одноперехідного транзистора.

Напруга включення Uвкл – максимальна напруга на емітері, при якій вольт-амперна характеристика приладу переходить в область від’ємного опору.

Напруга на емітерному переході Uпр. – падіння напруги на емітерному переході при прямому струмі, рівному струму включення.

Зворотній емітерний струм Iэ.о – струм, вимірюваний при зворотній напрузі між емітером і базою Б2 при розімкненій базі Б1.

Струм відключення Iвыкл. – емітерний струм, відповідний закінченню ділянки від’ємного опору.

Міжбазова напруга Uб1б2 – напруга між базами Б1 і Б2.

Допустима потужність, що розсіюється приладом, Р.

Основні параметри деяких типів одноперехідних транзисторів наведені в табл. 12-7.

 

Дуже поганоПоганоМоже бутиНормальноСупер Оцініть статтю, будь-ласка
Loading...
Сподобалася стаття, натисни кнопку!

Прокомментировать

Останні коментарі

Правила безпечної експлуатації електроустановок

Знайти публікацію по даті

Друзі сайту:

~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~

Радіо ГРАД ЛЕВА